Araştırma:

Araştırma grubumuz ağırlıklı olarak III-nitrat ikili (InN-AlN-GaN) ikili ve çoklu ince filmlerinin farklı kimyasal buhar kaplama methodlarını  (High Pressure Chemical Vapor Deposition-Atomic layer deposition – Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition)  büyütülmesi, karekterizasyonu ve aygıt a dönüştürülmesi üzerinedir. III-Nitrat çoklu yapıları mavi, yeşil ışık üreten LED ler, kızıl ötesinden mor ötesine bütün görülebilir bölgede çalışabilecek sensörler, entegre devreler (CMOS), Yarıiletken lazerler, Mikro-elektro-mekanik sistemler (MEMS) ve birçok diğer aygıtların  imalatı için çok önemlidirler. Bu alanda araştırma disiplinler arası  olup ısı transferi, Akışkan Dinamiği,  Kimya, elektronik  ve Malzeme Bilimi gibi diğer bilim alanlarınıda içine  almaktadır. 

Araştırma grubu:

Prof. Dr. Mustafa Alevli (İnce film üretimi, optik, yapı, yüzey ve elektrik karekterizasyonu, aygıt üretimi) (Thin film growth, optical, structural, surface and electrical characterization, device fabrication)

Prof. Dr. Uğur Yahşi   (ince filmlerin kusurlarının araştırılması)( Thin film defect characterization)

Öğrenciler:

Neşe Güngör (2020 Mezun), Tez Konusu: Plazma ile etkilendirilmiş atomik katman büyütme yöntemi ile büyütülen AlN ince filmlerin optik özellikleri

Ortak Çalışma

Dr. Sabri Alkış- Bilkent Üniversitesi Ulusal Nanoteknoloji Merkezi

Seçilmiş Yayınlar: 

1. Sabri Alkis, Mustafa Alevli, Salamat Burzhuev, Huseyin Avni Vural, Ali Kemal Okyay, Bulend Ortaç, “Generation of InN Nanocrystals in Organic Solution Through Laser Ablation of HPCVD grown InN Thin Film”, Journal of Nanoparticle Research, DOI: 10.1007/s11051-012-1048-5.
2. Mustafa Alevli, Cagla Ozgit, İnci Donmez, Necmi Biyikli, “Structural properties of AlN films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition at different growth temperatures”, Physıca Status Solidi A-Applicatıons And Materials Science, 209(2012), pp.266-271.
3. M. Alevli, G. Durkaya, A. Weerasekara, A. G. U. Perera, N. Dietz, W. Fenwick,  V. Woods, I. Ferguson, “Characterization of  InN Layers grown by High Pressure Chemical Vapor Depostion”, Applied Physics Letter , 89(2006), pp.112119-3.

Daha fazla bilgi http://scholar.google.com.tr/citations?user=0qG9LhoAAAAJ&hl=tr ulaşabilirsiniz.